芯片级读取时间达到十纳秒级

2020-08-12 02:17

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“十三五”期间,为进一步推动我国材料领域科技创新和产业化发展,科技部制定了《“十三五”材料领域科技创新专项规划》,并将“战略性先进电子材料”列为发展重点之一,重点围绕第三代半导体和微电子材料的研发,着力解决半导体及微电子产业面临的重大共性问题,在核心半导体材料的设计、生产工艺流程的优化以及关键技术的开发等方面形成突破,力争推动跨界技术整合,抢占先进电子材料技术的制高点。

该项目开展了与cmos工艺兼容的阻变与电极材料组合体系研究,研发的taox阻变存储器;芯片制造基于中芯国际集成电路制造有限公司8英寸0.13?m标准逻辑生产工艺线,芯片级读取时间达到十纳秒级,写操作电压满足0.13?m或0.11?m技术代标准逻辑工艺io承受电压;研发了低热导率的新型超晶格相变材料,研发了非对称环状微电极结构相变存储器单元,制备出了相变存储器阵列;开展了磁性隧道结等磁电子材料研究,制备了基于磁遂道结的磁传感器原型器件,完成了基于磁电子材料的具有非易失性锁存功能的双芯和三芯两种单通道数据隔离耦合接口芯片。该项目的实施突破了先进的高密度存储与磁电子材料器件的关键技术,培养了高水平信息存储与磁电子器件研发队伍,对于我国新型电子材料技术与信息产业的发展具有支撑作用。

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阻变存储器、相变存储器、磁存储器、高灵敏度磁传感器和隔离耦合器件等是具有良好应用前景的新型存储和磁电子技术,在移动通信、个人电脑、数码相机、电子标签等领域具有广阔的市场价值。“十二五”期间,863计划新材料技术领域支持了 “高密度存储与磁电子材料关键技术”主题项目。近日,科技部高新司在北京组织专家对该主题项目进行了验收。